Influence de l’anisotropie sur le champ des déplacements d’un bicristal couche/substrat sous l’effet d’une rangée de dislocations d’interface

Influence of the anisotropic on the displacement fields of a layer/substrate bicrystal under the effect of a network of interfacial dislocations

Laboratoire de Recherche en Productique (LRP), Département de Mécanique, Faculté des Sciences de l’Ingénieur, Université de Batna, Algérie

Auteur de correspondance : benboutarachid@yahoo.fr

Reçu : 24 Mai 2005
Accepté : 17 Mars 2006

Résumé

Les champs élastiques de déplacement au voisinage d’un réseau de dislocations interfaciales sont déterminés en utilisant une méthode basée sur le développement en séries de Fourier du champ de déplacement (R. Bonnet, Phil. Mag. A 43 (1981a) 1165-1187). Deux types de bicristaux, le CdTe/GaAs et le GaSb/GaAs, correspondant à des densités de dislocations différentes, sont traités comme exemples.

Abstract

The elastic fields of displacement in the vicinity of a network of interfacial dislocations are given by using a method based on the development of Fourier series of the displacement field (R. Bonnet, Phil. Mag. A 43 (1981a) 1165-1187). Two types of bicrystals, CdTe/GaAs and GaSb/GaAs, corresponding to densities of different dislocations, are treated as examples.