Issue |
Mater. Tech.
Volume 93, Number 9-12, 2005
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Page(s) | 363 - 368 | |
Section | Modélisation et simulation | |
DOI | https://doi.org/10.1051/mattech:2006017 | |
Published online | 13 July 2006 |
Influence de l’anisotropie sur le champ des déplacements d’un bicristal couche/substrat sous l’effet d’une rangée de dislocations d’interface
Influence of the anisotropic on the displacement fields of a layer/substrate bicrystal under the effect of a network of interfacial dislocations
Laboratoire de Recherche en Productique (LRP), Département de Mécanique, Faculté des Sciences de l’Ingénieur, Université de Batna, Algérie
Auteur de correspondance : benboutarachid@yahoo.fr
Reçu :
24
Mai
2005
Accepté :
17
Mars
2006
Les champs élastiques de déplacement au voisinage d’un réseau de dislocations interfaciales sont déterminés en utilisant une méthode basée sur le développement en séries de Fourier du champ de déplacement (R. Bonnet, Phil. Mag. A 43 (1981a) 1165-1187). Deux types de bicristaux, le CdTe/GaAs et le GaSb/GaAs, correspondant à des densités de dislocations différentes, sont traités comme exemples.
Abstract
The elastic fields of displacement in the vicinity of a network of interfacial dislocations are given by using a method based on the development of Fourier series of the displacement field (R. Bonnet, Phil. Mag. A 43 (1981a) 1165-1187). Two types of bicrystals, CdTe/GaAs and GaSb/GaAs, corresponding to densities of different dislocations, are treated as examples.
Mots clés : Dislocation / bicristal / misfit / interfaciale
Key words: Dislocation / bicrystal / misfit / interfacial
© EDP Sciences, 2005
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