(a) Courbe typique de chargement par nanoindentation du GaN non irradié pour une profondeur d’indentation de 200 nm (avec mise en évidence du pop-in en encart); (b) topologie 3D par AFM d’une empreinte résiduelle après décharge du GaN vierge pour une profondeur de pénétration de 1 μm.

(a) Typical loading curve by nanoindentation of the pristine GaN with a penetration depth of 200 nm (with pop-in illustration in insert); (b) 3D topology by AFM of the residual print after unloading of the pristine GaN for a penetration depth of 1 μm.