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Article cité :

Caractérisation par nanoindentation du GaN irradié par des ions uranium de grande énergie

Sophie Eve, Florent Moisy, Rosine Coq Germanicus, Clara Grygiel, Eric Hug, Isabelle Monnet

Matériaux & Techniques, 105 1 (2017) 108

Publié en ligne : 2017-05-12

DOI: https://doi.org/10.1051/mattech/2017008

Citations de cet article :

Effects of 450 MeV Kr Swift Heavy Ion Irradiation on GaN-Based Terahertz Schottky Barrier Diodes

Yan Ren, Yongtao Yu, Shengze Zhou, Chao Pang, Yinle Li, Zhifeng Lei, Hong Zhang, Zhihong Feng, Xubo Song, Honghui Liu, Yongli Lou and Yiqiang Ni
Micromachines 16 (3) 288 (2025)
https://doi.org/10.3390/mi16030288

Effects of Ion Irradiation and Temperature on Mechanical Properties of GaN Single Crystals under Nanoindentation

Zhaohui Dong, Xiuyu Zhang, Jiling Li, Shengyuan Peng, Qiang Wan, Jianming Xue and Xin Yi
Materials 16 (24) 7537 (2023)
https://doi.org/10.3390/ma16247537