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Article cité :

Chalcogénures pour le stockage de l’information : mémoires ioniques (CB-RAM) et mémoires à changement de phase (PC-RAM)

Andrea Piarristeguy, Annie Pradel

Matériaux & Techniques, 103 4 (2015) 402

Publié en ligne : 2015-09-18

DOI: https://doi.org/10.1051/mattech/2015041

Citations de cet article :

Effects of electron beam irradiation on a Ag/AsS2 bilayer using conductive atomic force microscopy

Jānis Sniķeris and Vjaceslavs Gerbreders
Thin Solid Films 731 138747 (2021)
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2021.138747

Growth of surface relief structures on Ag/AsS2 bilayer thin films by electron beam irradiation

Jānis Sniķeris, Vjačeslavs Gerbreders, Vadims Kolbjonoks, Irēna Mihailova and Edmunds Tamanis
Thin Solid Films 636 622 (2017)
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2017.07.008